一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法

摘要

本发明涉及一种调控无机半导体异质结材料生长的制备方法，特别是调控石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)纳米异质结生长的方法。所述的制备方法包括如下步骤：1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；2)将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；3)将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下在1520‑1600℃下保温30‑80min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC纳米异质结。本发明能够实现Graphene/SiC纳米异质结的生长调控；且周期短，工艺可控，在纳米异质结生长的同时即可实现对其组成比例的调控。