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ZnO/SiC异质结的外延生长

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本文利用MOCVD高温反应室系统,在Si衬底上先外延6H-SiC薄膜,然后在低温反应室以6H-SiC/Si为衬底,外延高质量的ZnO薄膜,并对薄膜的性质作相应的研究.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|66-67|共2页
会议地点牡丹江
作者
朱俊杰; 林碧霞; 傅竹西;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
氧化锌薄膜; 宽禁带半导体材料; MOCVD; 外延生长; 异质结;

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