一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法

摘要

本发明属于传感器技术领域，涉及一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法。所述SiC/ZnO纳米异质结压力传感器的制备方法包括以下步骤：(1)制备SiC/ZnO纳米异质结：将SiC纳米线分散于乙醇溶液中，取含有SiC纳米线的乙醇溶液滴在Si片上，自然晾干；然后将载有SiC纳米线的Si片面朝上放入原子层沉积系统，在惰性气氛中，以二乙基锌和水作为生长ZnO层的前驱体，在SiC纳米线表面生长ZnO层，从而获得SiC/ZnO纳米异质结；(2)压力传感器构建：将载有SiC/ZnO纳米异质结的Si片，在原子力显微镜导电模式下构建Pt/Ir‑SiC/ZnO‑Si压力传感器。