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电荷与数字混合累加型CMOS-TDI图像传感器

摘要

本发明涉及模拟集成电路设计领域,为实现充分发挥电荷域无噪声累加,数字域累加芯片面积小、无累加上限的优点,同时又不对电荷域累加时的传输效率和满阱容量以及数字域累加时ADC的速度提出过高要求,本发明采用的技术方案是,电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器,由像素阵列、列并行ADC阵列、列并行数字域累加阵列、移位寄存器、时序控制模块构成,像素阵列大小为L列N行,像素阵列中N行像素分成K个子像素阵列,每个子像素阵列由M行像素和一个读出电路组成;每个子像素阵列各级之间采用电荷累加方式,K个子阵列之间采用数字累加方式,其中N=M×K。本发明主要应用于集成电路设计。

著录项

  • 公开/公告号CN106454164B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201610970573.6

  • 发明设计人 高静;黄蕊;聂凯明;徐江涛;

    申请日2016-11-04

  • 分类号

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人刘国威

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:35:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-12

    授权

    授权

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/374 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N 5/374 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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