Charge transfer ; Silicon nitride ; Thin film ; Transport property ; Carrier ; Charge ; Conduction ; Digital ; Electric ; Film ; Insulator ; Microelectronics ; Nitride ; Property ; Quartz ; Silicon ; Thin ; Transducer ; Transfer ; Transport;
机译:氧氮化硅和富硅氮化硅薄膜中电荷传输与本征应变的相关性
机译:氧氮化硅和富硅氮化硅薄膜中电荷传输与本征应变的相关性
机译:硅量子点/ SiO_2薄膜和超晶格中的弹性隧穿电荷传输机制
机译:低应力Si富硅氮化硅薄膜的电荷输送
机译:氮化硅薄膜中存在的电荷及其对硅太阳能电池效率的影响的研究
机译:非晶TaNx薄膜中的电荷传输机制和存储效应
机译:欧洲煤钢共同体外聘审计员在C.E.C.a.第十五财政年度的报告(1966年7月1日至1967年6月30日)和1966年财政年度(1966年1月1日至12月31日)的共同机构。前言:在最初的十五个财政年度中,社区财务状况的主要因素的演变。第一部分:分析Haute autorite的财务运作。第2部分:高级管理局的行政费用=欧洲煤钢共同体审计员关于ECsC财政年度(1966年7月1日至1967年6月30日)和1966年(1966年1月1日至12月31日)的报告对于普通机构。前言:在最初的十五个财政年度,共同体财务状况的主要因素的演变。第一部分:分析高级管理局的财务运作。第二部分:高级管理局的行政费用。 1967年12月22日
机译:数字传感器原理研究。第IV卷 - 薄氮化硅薄膜中的电荷传输机制,1966年7月1日 - 1967年6月30日