局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法

摘要

本发明提出了一种局部绝缘体上的硅(partial SOI)制作功率器件，一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)的结构及实现方法。这种局部SOI LDMOS器件的结构特征在于源端远离沟道区的下方无埋氧，有利于散热；源端和沟道区下方的埋氧是连续的而且具有同一厚度；漏端的埋氧与沟道区埋氧虽然连续，但是具有不同的厚度。这种结构克服了常规SOI器件的自热效应，而且提高了器件的击穿电压，降低了源漏电容，提高了器件的频率特性。