公开/公告号CN100341150C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-10-03
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN200410042428.9
发明设计人 陈孝贤;
申请日2004-05-18
分类号H01L23/60(20060101);H02H9/00(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人马娅佳
地址 台湾省新竹市
入库时间 2022-08-23 08:59:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-10-03
授权
授权
2006-01-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-11-23
公开
公开
机译: 低触发电压静电放电保护结构及降低触发电压的方法
机译: 低触发电压特性的半导体器件的静电放电保护器件
机译: 可在低触发电压下工作的可控硅(SCR)结构的静电放电(ESD)保护电路