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配备有具有MEMS结构的电容补偿器的差分电容型MEMS传感器设备

摘要

本发明公开了一种其具有MEMS结构的差分电容型MEMS传感器设备,该MEMS结构包括一差分电容型MEMS传感器和其具有MEMS结构的一电容补偿器。该差分电容型MEMS传感器设备包括:一固定框架单元,该固定框架单元包括成对配备的第一和第二固定框架,该第一和第二固定框架被部分的固定到MEMS基底上;一活动框架单元,该活动框架单元可移动的与MEMS基底相连以便在活动框架单元与第一固定框架之间产生第一电容并且在活动框架单元与第二固定框架之间产生第二电容;第一电容补偿框架单元,该第一电容补偿框架单元利用活动框架与活动电极之间所产生的电容来对第一电容进行补偿;以及第二电容补偿框架单元,该第二电容补偿框架单元利用活动框架与活动电极之间所产生的电容来对第二电容进行补偿。

著录项

  • 公开/公告号CN1332179C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电机株式会社;

    申请/专利号CN200410031396.2

  • 发明设计人 朴皓埈;蔡敬洙;

    申请日2004-03-26

  • 分类号G01D3/028(20060101);G01D5/12(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人谢丽娜;谷惠敏

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-06-13

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01D 3/028 授权公告日:20070815 终止日期:20110326 申请日:20040326

    专利权的终止

  • 2007-08-15

    授权

    授权

  • 2005-09-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-13

    公开

    公开

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