形成超越光学微影制程分辨率的节距的方法

摘要

一种形成超越光学微影制程分辨率的节距的方法，其是在制程中利用聚合物边衬、非感光聚合物填塞及聚合物掩模控制目标层被定义的节距，使得该目标层的最小节距超越光学微影制程的分辨率。应用在制造存储器时，该方法并且可以同时解决存储数组区与周边线路区多晶硅节距差异过大的制程问题。