定在波シフトによる半導体ウエハ表面の超解像光学式欠陥検査（第13報）―FDTD 法を用いた微細配線の散乱特性解析

摘要

我々は，近年重要性を増してきた半導体欠陥計測を高解像性，非破壊性，高スループット性のもとで行うために，定在波照明をシフトさせることによる超解像光学式検査方法を提案し開発している．この方法は，2 光束干渉による定在波照明パターンをナノオーダでシフトさせ，複数の微小に変調した光散乱像を取得する(Fig.1)．この複数像に対して計算機による後処理を加えることで，定在波照明の高周波変調情報を解像結果に反映させ，レイリー限界を超えた解像を行うというものである．本研究では，提案手法の定量的な解像特性の理論的解析を目的として，定在波照明時における任意半導体微細配線の遠隔場結像特性を調査する．本報では，第一段階として，単配線に焦点をあわせ，FDTD 法により，ニアフィールドにおける電場挙動を解析するとともに，フーリエ光学を融合した遠隔場結像算出シミュレータを構築する．