首页> 中国专利> 一种40nm以下尺寸的器件的化学机械平坦化的工艺方法

一种40nm以下尺寸的器件的化学机械平坦化的工艺方法

摘要

本发明提供了一种化学机械平坦化的工艺方法,包括步骤:采用原子层沉积的方法填充金属钨;进行第一去除工艺和第二去除工艺,以实现金属钨的化学机械平坦化,其中,第二去除工艺中的压力和转速分别小于第一去除工艺中的压力和转速。采用两步去除工艺进行金属钨的化学机械平坦化,后一步去除工艺中压力和转速都有所减小,这样,在第二去除工艺中减小研磨过程中的机械作用,从而,可以降低金属栅顶部的金属损失,提高器件的性能和良率。

著录项

  • 公开/公告号CN104979277B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201410146689.9

  • 申请日2014-04-11

  • 分类号H01L21/768(20060101);H01L21/321(20060101);

  • 代理机构11252 北京维澳专利代理有限公司;

  • 代理人王立民;张应

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 10:33:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-14

    授权

    授权

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20140411

    实质审查的生效

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20140411

    实质审查的生效

  • 2015-10-14

    公开

    公开

  • 2015-10-14

    公开

    公开

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