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重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺

摘要

本发明公开了重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺,步骤如下:1)将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒,然后保持温度不变,将处理气氛变换成氧气,继续热处理5-50秒,最后在氧气氛下冷却;或者先在氩气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒,冷却后,再在氧气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒;2)将经过步骤1)处理的重掺硼硅片在氩气氛下,先在800℃下退火4小时,然后再在1000℃下退火16小时。本发明采用变换保护气氛的高温快速热处理和低、高温度下两步退火,可以有效地实现重掺硼硅片的内吸杂结构,这种内吸杂结构在后续处理过程中很稳定,并且热周期短,重复性好。

著录项

  • 公开/公告号CN100336945C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-09-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN200610051834.0

  • 发明设计人 杨德仁;马向阳;符黎明;阙端麟;

    申请日2006-06-06

  • 分类号C30B33/02(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人韩介梅

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-12-03

    专利实施许可合同的备案 合同备案号:2008330000131 让与人:浙江大学 受让人:万向硅峰电子股份有限公司 发明名称:重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺 授权公告日:20070912 许可种类:独占许可 备案日期:2008.8.4 合同履行期限:2008.7.17至2013.7.16合同变更 申请日:20060606

    专利实施许可合同的备案

  • 2007-09-12

    授权

    授权

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-27

    公开

    公开

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