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一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶圆传送方法

摘要

本发明公开了一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶圆传送方法,通过预判断晶圆对准缺口经过隔离阀位置传感器时四个可能的遮挡位置,在搬运控制器上进行初始角度、单次旋转角度以及旋转角度范围的设定,以避免晶圆对准缺口从该四个遮挡位置经过位置传感器而引起搬运控制器对晶圆圆心位置的误判,从而实现对晶圆传送位置的精确控制,达到使晶圆安置于静电吸附盘中心的目的,避免造成背面氦气流量异常引起的宕机以及晶边缺陷的产生。本发明方法实现方便,效果显著,可适用于工艺过程中对晶圆中心对准要求较高的制程。

著录项

  • 公开/公告号CN106783705B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201611076590.1

  • 发明设计人 冯奇艳;许进;荆泉;任昱;张旭升;

    申请日2016-11-30

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 10:32:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-14

    授权

    授权

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/677 申请日:20161130

    实质审查的生效

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/677 申请日:20161130

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

    公开

  • 2017-05-31

    公开

    公开

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