公开/公告号CN108057783B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-24
原文格式PDF
申请/专利权人 中山森利科技有限公司;
申请/专利号CN201711386198.1
申请日2017-12-20
分类号B21D37/10(20060101);B21D37/16(20060101);B21C37/02(20060101);
代理机构
代理人
地址 528400 广东省中山市南朗镇第六工业区蒂峰西路2号厂房之一
入库时间 2022-08-23 10:32:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-24
授权
授权
2019-05-17
专利申请权的转移 IPC(主分类):B21D 37/10 登记生效日:20190428 变更前: 变更后: 申请日:20171220
专利申请权、专利权的转移
2019-05-17
专利申请权的转移 IPC(主分类):B21D 37/10 登记生效日:20190428 变更前: 变更后: 申请日:20171220
专利申请权、专利权的转移
2018-06-15
实质审查的生效 IPC(主分类):B21D37/10 申请日:20171220
实质审查的生效
2018-06-15
实质审查的生效 IPC(主分类):B21D37/10 申请日:20171220
实质审查的生效
2018-06-15
实质审查的生效 IPC(主分类):B21D 37/10 申请日:20171220
实质审查的生效
2018-05-22
公开
公开
2018-05-22
公开
公开
2018-05-22
公开
公开
2018-05-22
公开
公开
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机译: 用于制造具有局部受控区域的薄半导体晶圆的方法和装置,该局部受控区域相对于其他区域和此类晶圆要厚。
机译: 用于制造具有局部受控区域的薄半导体晶圆的方法和装置,该局部受控区域相对于其他区域和此类晶圆要厚
机译: 用于制造具有局部受控区域的薄半导体晶圆的方法和装置,该局部受控区域相对于其他区域和此类晶圆要厚