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用于导向自组装的硅硬掩模层

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摘要

提供了用于导向自组装图案化技术的组合物，其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法，其中可将自组装材料，例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硅硬掩模中性层，然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。

1. 用于导向自组装的硅硬掩模层 [P] . 中国专利： CN104380194B . 2019.05.31
2. 用于导向自组装的硅硬掩模层 [P] . 中国专利： CN104380194A . 2015-02-25
3. Silicon hardmask layer for directed self-assembly [P] . 美国专利： US9249013B2 . 2016-02-02

机译：硅硬掩模层，用于定向自组装
4. Producing hard mask for semiconductor structure involves providing structured mask layer on hard mask layer, ion implantation, removing structured layer, structuring hard mask layer by selectively etching non-implanted or implanted region [P] . 德国专利： DE10338503B3 . 2005-05-25

机译：生产用于半导体结构的硬掩模包括在硬掩模层上提供结构化掩模层，离子注入，去除结构化层，通过选择性地蚀刻未注入或注入的区域来结构化硬掩模层。
5. Fabrication of nonvolatile memory by sequentially forming first and second insulation layers on substrate, forming hard mask, depositing silicon, forming quantum dots, removing hard mask, forming third insulation layer, and forming gate [P] . 德国专利： DE102004063404A1 . 2005-12-01

机译：通过在基板上依次形成第一和第二绝缘层，形成硬掩模，沉积硅，形成量子点，去除硬掩模，形成第三绝缘层以及形成栅极来制造非易失性存储器