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FinFET结构以及用于制造FinFET结构的方法

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本发明提供一种FinFET结构，包括鳍和围绕鳍的第一部分的栅极。鳍的第一部分中的掺杂剂浓度低于约1E17/cm³。FinFET结构还包括围绕鳍的第二部分的绝缘层。鳍的第二部分的掺杂剂浓度大于约5E18/cm³。绝缘层包括下层和上层，并且下层设置在连接鳍的衬底上方并且具有大于约1E19/cm³的掺杂剂浓度。本发明还涉及FinFET结构以及用于制造FinFET结构的方法。

著录项

公开/公告号CN106206716B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-21

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201510216725.9
发明设计人蔡俊雄;庄丽云;李健玮;陈科维;
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申请日2015-04-30
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 10:32:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-21

授权

授权
2017-01-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20150430

实质审查的生效
2017-01-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150430

实质审查的生效
2016-12-07

公开

公开
2016-12-07

公开

公开

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