机译:具有Mahas结构的P沟道电荷俘获型FOI-FINFET记忆的制造与表征
Chinese Acad Sci Inst Microelect Key Lab Microelect Devices &
Integrated Technol Beijing 100029 Peoples R China;
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机译:具有Mahas结构的P沟道电荷俘获型FOI-FINFET记忆的制造与表征
机译:包含SiO2 / Si3N4界面过渡层的p沟道氧化硅-氮化物-氧化物-硅存储器件中电荷俘获特性的表征
机译:立方结构的HfLaO,用于电荷捕获型闪存设备的阻挡层
机译:具有改进的操作特性的P通道FOI-MAHAS电荷捕获存储器的表征
机译:电荷捕获非易失性半导体存储器件的设计,表征和建模。
机译:通过利用电荷俘获动力学模拟n和p沟道MoS2晶体管中的突触响应
机译:使用单阱“泵浦”技术研究p沟道CCD的硅晶格内的电荷俘获缺陷。
机译:用于表征辐射强化电荷耦合器件(CCD)成像器的制造和性能的测试结构的开发:年度报告,1980年5月15日至1981年5月14日