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一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法

摘要

本发明公布了一种在室温环境下向砷化镓材料中引入杂质的方法,是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源,使杂质源的原子或离子进入等离子体,这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能,进而进入砷化镓材料中。本方法由于不需高温,不仅可以用于砷化镓晶片的掺杂,还可以用于砷化镓器件的掺杂,与传统的高温扩散和离子注入工艺相比,既便捷又经济。

著录项

  • 公开/公告号CN105931951B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201610420343.2

  • 发明设计人 秦国刚;李磊;侯瑞祥;徐万劲;

    申请日2016-06-13

  • 分类号

  • 代理机构北京万象新悦知识产权代理有限公司;

  • 代理人李稚婷

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 10:32:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-14

    授权

    授权

  • 2016-10-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/223 申请日:20160613

    实质审查的生效

  • 2016-10-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/223 申请日:20160613

    实质审查的生效

  • 2016-09-07

    公开

    公开

  • 2016-09-07

    公开

    公开

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