法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-14
授权
授权
2016-10-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/223 申请日:20160613
实质审查的生效
2016-10-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/223 申请日:20160613
实质审查的生效
2016-09-07
公开
公开
2016-09-07
公开
公开
机译: 一种半导体激光装置,其具有在压缩压力下的铟镓砷活性层,在膨胀压力下的砷化镓阻挡层和光波导入口
机译: 一种在低温下浮法生产亚烷基镓和砷化合物的砷化镓镓的方法。
机译: 具有环境密封的欧姆接触栅的砷化镓/砷化铝镓光电电池及其制造方法