一种程序化单一位元储存SONOS型存储器的方法

摘要

本发明提供一种程序化单一位元储存SONOS型存储单元的方法，该单一位元储存SONOS型存储单元包含有一基底、介于左位元线与右位元线之间的沟道区域、用以储存数字信息的复合介电层以及字符线，该方法包含有：对该单一位元储存SONOS型存储单元执行一左侧电子注入，其是提供该字符线一相对高的字符线电压(V_WL，HIGH)、提供该左位元线一相对高的左位元线电压(V_LBL，HIGH)、提供该右位元线一相对低的右位元线电压(V_RBL，LOW)、提供该基底一相对低的基底电压；以及对该单一位元储存SONOS型存储单元执行一右侧电子注入，其是提供该字符线相对高的字符线电压(V_WL，HIGH)、提供该左位元线一相对低的左位元线电压(V_LBL，LOW)、提供该右位元线一相对高的右位元线电压(V_RBL，HIGH)、提供该基底一相对低的基底电压。