采用原子层沉积工艺在基片上形成二氧化硅层的方法

摘要

本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。