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游峰; 季鲁; 谢清连; 王争; 赵新杰; 方兰; 阎少林;
中国电工技术学会;
中国电机工程学会;
T1-2212超导薄膜; 氧化铈缓冲层; 蓝宝石基片; 射频磁控溅射; 后热处理; 临界电流密度;
机译:CeO2缓冲蓝宝石衬底上双面Tl2Ba2CaCu2O8薄膜的制备和性能
机译:氧化铈(CeO2)缓冲层,用于通过涂层热解法在大面积蓝宝石衬底(30 cm x 10 cm)上制备高Jc YBCO膜
机译:在c平面和倾斜c平面蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层并进行表征
机译:ZnO膜的离轴溅射沉积在c蓝宝石衬底上,并具有通过氮介导的结晶制备的缓冲层
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:激光溅射参数对蓝宝石上氧化铈缓冲层取向的影响及YBa2Cu3Ox超导薄膜的性能
机译:在具有纹理化缓冲层的柔性Ni基合金基底上制备高质量YBa2Cu3O(7-δ)厚膜
机译:237-改善在CeO2缓冲r割蓝宝石衬底上生长的YBa2Cu3O7-高温超导体膜的表面光滑度的方法
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:在Si和SiO上蒸发高Tc Y-Ba-Cu-O超导薄膜。 sub.2,带有氧化锆缓冲层
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