面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路

摘要

本发明涉及一种面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路，控制电路模块将Q1、Q0信号转化为开关状态控制信号输出至TDDB性能退化数字转化模块；TDDB性能退化数字转化模块内的第一MOS管电路的MOS管处于电源电压的应力状态下，第二MOS管电路的MOS管处于非应力状态下；第一MOS管电路和第二MOS管电路在开关状态控制信号的控制下，分别输出第一频率值和第二频率值至输出选择模块；输出选择模块将TDDB性能退化数字转化模块输出的第一频率值输出至计数器B中进行记录，或者将第二频率值输出至计数器A中进行记录；计数器模块通过比较第一频率值与第二频率值确定TDDB性能的退化量。本发明的结构简单，输出可监测TDDB性能退化过程，能够对TDDB性能进行准确预警。