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一种p型指数掺杂结构GaN光电阴极材料的生长方法

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本发明公开了一种p型指数掺杂结构GaN光电阴极材料的生长方法，通过在蓝宝石衬底上吸附镓、氮和镁原子，形成p型指数掺杂结构的GaN薄膜，生长出的GaN光电阴极材料具有连续的内建电场，且该方法制备思路清晰、方法简单，生长出的GaN光电阴极性能显著提高。

著录项

公开/公告号CN106449907B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-12

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201611024168.1
发明设计人王晓晖;张益军;杨明珠;
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申请日2016-11-18
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/40(20100101);
代理机构51216 四川君士达律师事务所;
代理人芶忠义
地址 610054 四川省成都市成华区建设北路二段4号
入库时间 2022-08-23 10:30:26

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-12

授权

授权
2017-03-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20161118

实质审查的生效
2017-03-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20161118

实质审查的生效
2017-02-22

公开

公开
2017-02-22

公开

公开

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