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李飙; 任艺; 常本康;
商丘师范学院电子电气工程学院;
商丘职业技术学院机电系;
南京理工大学电子工程与光电技术学院;
氮化镓; 光电阴极; 梯度掺杂; 内建电场; 稳定性;
机译:梯度掺杂GaAs光电阴极与均匀掺杂GaAs光电阴极的比较
机译:梯度掺杂GaN光电阴极的光发射
机译:均匀掺杂和梯度掺杂NEA GaN光电阴极的比较研究
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:掺杂引起的GaN纳米管的结构稳定性和电子性能
机译:量子产率反射模式各种掺杂GaN光电阴极
机译:极高电荷,高偏振梯度掺杂应变Gaas光电阴极
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:一种光电组件,主要由掺杂或未掺杂的多组分半导体组成,该半导体具有至少一种组分或至少一种掺杂剂的梯度
机译:具有多数掺杂剂梯度的分布式光电二极管结构及其制造方法
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