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用于构造空腔的方法以及具有空腔的构件

摘要

本发明涉及在硅衬底内构造空腔的方法,其中,硅衬底的表面相对于第一平面具有倾斜角,第一平面为硅衬底的{111}平面,在硅衬底的表面上布置蚀刻掩模。蚀刻掩模具有伸进掩模开口内的第一前置结构和第一蚀刻开端区域。掩模开口在第一蚀刻开端区域外的其他棱边布置为平行于硅衬底的{111}平面。所述方法包括在确定的蚀刻持续时间内各向异性地蚀刻硅衬底的步骤。朝向硅衬底的<111>方向的蚀刻速率小于朝向其他方向的蚀刻速率,第一前置结构从第一蚀刻开端区域出发朝向第一侧蚀方向侧蚀。蚀刻持续时间这样确定:通过各向异性蚀刻在硅衬底内构造空腔,经过该蚀刻持续时间之后,硅衬底的第一平面露出并构成空腔的底面。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-19

    授权

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  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20150529

    实质审查的生效

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20150529

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    公开

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  • 2017-08-18

    公开

    公开

  • 2017-08-18

    公开

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