掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法

摘要

一种掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法，其中掺杂多晶硅层的形成方法包括：向反应腔室内提供硅源气体、掺杂源气体以及中性原子源气体，形成掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂源气体提供掺杂离子，所述中性原子源气体提供中性原子，且在形成掺杂多晶硅层的过程中，掺杂多晶硅层中的中性原子适于阻止掺杂离子凝聚，掺杂离子适于对硅原子具有吸附作用。本发明提高了形成的掺杂多晶硅层表面平坦度，避免在掺杂多晶硅层表面形成鼓包缺陷。