電界誘起層形成法におけるCNT の平均ゼータ電位の半導体SWCNT 抽出効率への寄与

摘要

優れた電気的特性を持つ単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は，その合成時の金属・半導体性の混合が電子デバイス応用において課題とされる．これまでに，我々はNa+などの金属イオン種がプロセス内に含まれず，半導体のチャネル材料としてのSWCNTの使用に適した「電界誘起層形成法(ELF法)」による金属・半導体性SWCNT分離手法を提案してきた[1]．本講演では，本分離手法における分散溶液中のSWCNTミセルの平均ゼータ電位の分離効率への影響について述べる．