P+单一多晶且没有轻掺杂的非挥发性记忆体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有选择器晶体管的P+单一多晶架构且没有轻掺杂区域且与CMOS工艺相兼容的嵌入式非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括没有轻参杂区域的PMOS晶体管、控制电容和PMOS选择器晶体管；半导体基板的表面上淀积有栅介质层，栅介质层上设有浮栅电极，浮栅电极覆盖并贯穿没有轻参杂区域的PMOS晶体管和控制电容上方对应的栅介质层，浮栅电极的两侧淀积有侧面保护层；没有轻参杂区域的PMOS晶体管包括第一N型区域及P型源极区与P型漏极区，控制电容包括第二P型区域及第一P型掺杂区域与第二P型掺杂区域。本发明结构紧凑，能与CMOS工艺兼容，降低芯片成本，提高存储的安全可靠性。