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公开/公告号CN1314974C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-05-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200410053566.7
发明设计人 宋志棠;夏吉林;陈宝明;张挺;封松林;
申请日2004-08-06
分类号G01R31/26(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 08:59:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-05-09
授权
2005-05-04
实质审查的生效
2005-03-02
公开
机译: 形成微电子器件结构的方法,以及相关的微电子器件结构和微电子器件
机译: 用于具有不同润湿性区域的电子器件的层状结构,电子器件和使用这种层状结构的电子器件阵列
机译:LABR_3的性能测试:CE检测器耦合到SIPM阵列和强磁场中的γ射线光谱的获取电子器件
机译:聚合物喷涂沉积:采用新的有机薄膜制备方法的聚合物电子器件
机译:用于可拉伸电子器件的高导电和机电自我治疗的金纳芯电极
机译:用于液体氩气的液体氩气终点卡路纳的冷电子器件
机译:III-V型化合物半导体材料表征的各种光电子器件的微结构和纳米结构的分析透射电子显微镜和高分辨率电子显微镜。
机译:表面微观结构对电子器件中使用散热器散热性能的影响
机译:具有共轭聚合物配体的金纳芯片:印刷电子器件的无烧结导电油墨
机译:用于异质外延和粘合结构的N-Face GaN电子器件。