通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接

摘要

一种通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接。本发明提出了一种在分裂栅极沟槽晶体管器件中的接触结构，用于连接沟槽内的顶部电极和底部电极。包括一个半导体衬底以及形成在半导体衬底中的一个或多个沟槽。沿沟槽内部侧壁，沟槽内衬绝缘材料。在每个沟槽底部都有一个底部电极，在每个沟槽顶部都有一个顶部电极。底部电极和顶部电极通过绝缘材料分隔开。用导电材料填充的接触结构形成在器件有源区以外的区域中的每个沟槽中，以便连接顶部电极和底部电极。