法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-22
授权
授权
2015-10-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20131119
实质审查的生效
2015-10-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20131119
实质审查的生效
2014-06-04
公开
公开
2014-06-04
公开
公开
机译: 在凹槽中包括应力源的半导体器件及其形成方法
机译: 在凹槽中包括应力源的半导体器件及其形成方法
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