首页> 中国专利> 大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法

大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法

页面导航

摘要

本发明涉及蓝宝石单晶生长方法，具体为一种冷心放肩微量提拉法生长蓝宝石单晶生长方法。其特点是：工艺过程中冷却水出口温度稳定在25±10℃范围内，整个工艺过程中真空压力不大于6×10

1. 大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 [P] . 中国专利： CN1323195C . 2007.06.27
2. 300mm以上蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 [P] . 中国专利： CN101580963B . 2011.04.13
3. METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL, SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL PREPARED BY THE METHOD, AND METHOD FOR PROCESSING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL [P] . 日本专利： JP2011011950A . 2011-01-20

机译：制备蓝宝石单晶的方法，用该方法制备的蓝宝石单晶以及加工蓝宝石单晶的方法
4. Production method of the silicon monocrystal due to chemical vapor phase growth method and the super microelement in its raw materials kuroroshiran division quantitative method null of the super microelement in the silicon monocrystal which is produced [P] . 日本专利： JP2650003B2 . 1997-09-03

机译：化学气相生长法生产单晶硅的方法及其原料中的超微量元素kuroroshiran分割定量法所生产的单晶硅中的超微量元素无效
5. METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL, AND SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL OBTAINED BY THE METHOD [P] . 美国专利： US2012015799A1 . 2012-01-19

机译：制备蓝宝石单晶的方法，以及通过该方法获得的蓝宝石单晶