公开/公告号CN106653718B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州同冠微电子有限公司;
申请/专利号CN201510740926.9
发明设计人 王献兵;
申请日2015-11-04
分类号H01L23/482(20060101);H01L21/60(20060101);
代理机构32231 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙);
代理人翁斌
地址 215617 江苏省苏州市张家港市杨舍镇乘航农鹿南路88号
入库时间 2022-08-23 10:26:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-10
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/482 登记生效日:20191120 变更前: 变更后: 申请日:20151104
专利申请权、专利权的转移
2019-02-26
授权
授权
2019-02-26
授权
授权
2017-06-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/482 申请日:20151104
实质审查的生效
2017-06-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/482 申请日:20151104
实质审查的生效
2017-06-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/482 申请日:20151104
实质审查的生效
2017-05-10
公开
公开
2017-05-10
公开
公开
2017-05-10
公开
公开
查看全部
机译: 背面接触的半导体器件,例如通过代谢用于接触正面电路结构的连接区域或金属化层的背面接触孔来生产离子敏感FET
机译: 用于连接铝合金制部件的焊粉包括基于铝硅的粉末颗粒,在该粉末中,均匀分布的初晶硅沉淀在共晶铝硅合金的微结构中
机译: 用于半导体器件的背面铜金属化的结构及其制造方法