无界面掺杂的背接触硅异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种无界面掺杂的背接触硅异质结太阳能电池及其制备方法。该电池包括：具有相对的第一表面和第二表面的基材层，所述第一表面为凹凸面；叠设于所述第一表面上的钝化层；叠设于所述第二表面的电子层和空穴层，且电子层和空穴层有间隔；以及叠设于电子的阴极电极和叠设于空穴层的阳极电极。由该电池采用n型或p型硅片作为基材，以氧化铝作为钝化层，制备时不需要高温，制备过程中极大的降低能耗，节约成本，获得的电池具有结构稳定、品质优良等特点。