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公开/公告号CN211350668U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN201921553841.X
发明设计人 杨柳;何赛灵;
申请日2019-09-18
分类号
代理机构杭州求是专利事务所有限公司;
代理人林松海
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2022-08-22 16:14:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
授权
机译: 用于制造在背面具有接触的基于异质结太阳能电池的晶片的方法以及通过该方法制造的异质结太阳能电池
机译: 基于LPCVD高效无定形硅掺杂技术的互连的背面接触异质结太阳能电池
机译: 低成本硅异质结互扩散背接触式太阳能电池非晶硅层的无掩模图案化
机译:基于硫化物的电子选择性接触和无掺杂剂的异质结硅太阳能电池
机译:指叉背接触硅异质结太阳能电池中无掺杂非对称不对称接触之间过渡区电荷的作用
机译:以WO_3作为空穴选择接触的无掺杂ZnS / p-Si异质结太阳能电池的功耗分析
机译:基于40μm厚的单晶硅的20.44%高效,243 cm〜2面积,背面接触式太阳能电池可制造,无电镀,无Ag金属化
机译:石墨烯-硅异质结太阳能电池的无转移发展。
机译:硅太阳能电池的无掺杂和载流子选择性异质接触:最新进展和展望
机译:在无金属无金属掺杂Z形Z-Scheme中的界面电荷提取中的见解@ Biocl异质结
机译:与浅结Inp太阳能电池的无接触接触