基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池

摘要

本发明公开了一种基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池，从上至下依次包括减反射薄膜、超薄金属薄膜、空穴选择性接触、单晶硅、电子选择性接触、背电极；所述的超薄金属薄膜为连续薄膜，厚度小于10 nm。空穴选择性接触、电子选择性接触分别可为两层或者为一层。本发明引入超薄金属薄膜，避免了传统电池中栅线电极对太阳光的遮挡效应，增加了光生载流子的收集效率，同时增强了对长波段太阳光的限制作用，可大幅提高电池的短路电流；该金属薄膜还可提高电池稳定性，增加其柔韧性；整个电池结构简单，设计灵活，工艺简单，无需额外掺杂工艺，无需定义电极图形结构，工艺温度可控制在100℃以内，成本低廉。