3D NAND闪存沟道孔的制备方法及3D NAND闪存

摘要

本发明提供了3D NAND闪存沟道孔的制作方法及3D NAND闪存，所述方法包括：在衬底堆叠结构的沟道孔中沉积，分别形成阻挡层、存储层和隧穿层；然后进行第一层多晶硅层的沉积；对第一层沉积的多晶硅层进行低温自由基氧化，以形成掩蔽氧化层；对沟道孔底部的掩蔽氧化层、第一层多晶硅层、隧穿层、存储层和阻挡层进行刻蚀，直至漏出硅外延层并过刻蚀该硅外延层一定深度；去除掩蔽氧化层，并进行第二层多晶硅沉积前预清洗；进行第二层多晶硅层的沉积。由于采用了低温自由基氧化工艺形成掩蔽氧化层及采用稀氢氟酸进行第二层多晶硅沉积前的预清洗，省去多晶硅回刻步骤，形成均匀性好，高质量的沟道孔多晶硅层，并且成本低，可靠性高。