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一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法

摘要

一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法。本发明公开一种晶体管,包括:半导体生长基底和半导体热电效应装置,半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属层、导热层、热电偶导热装置和散热层,半导体化合物层生长在半导体生长基底上,金属层生长在半导体化合物层上,导热层生长在金属层上,热电偶导热装置生长在导热层上,散热层生长在与导热层相对的热电偶导热装置的另一面上,热电偶导热装置还包含供电臂,供电臂生长在导热层上,与热电偶导热装置电连接。综上所述,本发明能够将晶体管的热快速导出并散发出去,能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性,对高温下功放的性能指标也会有很大改善,同时能提升设备的使用寿命,提高竞争力。

著录项

  • 公开/公告号CN103887339B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中兴通讯股份有限公司;

    申请/专利号CN201210592156.4

  • 申请日2012-12-19

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L23/38(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构11262 北京安信方达知识产权代理有限公司;

  • 代理人解婷婷;龙洪

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座5楼法务部

  • 入库时间 2022-08-23 10:25:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-05

    授权

    授权

  • 2016-04-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20121219

    实质审查的生效

  • 2016-04-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20121219

    实质审查的生效

  • 2014-06-25

    公开

    公开

  • 2014-06-25

    公开

    公开

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