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无铬膜层相位移光罩及其制造方法与制造半导体装置方法

摘要

本发明是关于一种无铬膜层相位移光罩,包括:一透光基底;至少一第一相位移图案,由至少一环状凹陷所构成;以及一第一次解析透光图案,是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成,以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案,此外,本发明亦关于上述光罩的制造方法以及其制造半导体装置的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1325994C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200410100630.2

  • 发明设计人 张仲兴;林佳惠;陈俊光;

    申请日2004-12-08

  • 分类号G03F1/08(20060101);G03F7/20(20060101);H01L21/00(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李强

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-07-11

    授权

    授权

  • 2005-08-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-15

    公开

    公开

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