一种减少微系统金属界面封装键合缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种减少微系统金属界面封装键合缺陷的方法。本发明利用脉冲电流在键合缺陷处的集聚效应和焦耳热效应促进原子的扩散，并在外部载荷作用下实现缺陷愈合，进而减少封装键合缺陷。本发明所述方法工艺简单、操作方便，且在常温下实施，增强了键合工艺可靠性，在三维封装、微光机电系统制造等领域具有应用前景。