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具有RuAl/NiAlB双晶种层的薄膜介质

摘要

本发明披露了一种包括RuAl/NiAlB双晶种层的用于磁性薄膜记录介质的薄膜结构。RuAl/NiAlB结构的应用使得晶粒大小降低,Mrt取向比(OR)增加,SNR提高,和在较高振幅下有较低的PW50。RuAl和NiAlB晶种层的每层都具有B2结晶结构。可以利用RuAl/NiAlB双晶种层来获得(200)择优面心取向的底层,及获得(11-20)择优面心取向的钴合金磁性膜。

著录项

  • 公开/公告号CN1322494C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立环球储存科技荷兰有限公司;

    申请/专利号CN200410082466.7

  • 发明设计人 玛丽·F·多尔纳;唐凯;肖启凡;

    申请日2004-09-22

  • 分类号G11B5/66(20060101);G11B5/73(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人封新琴;巫肖南

  • 地址 荷兰阿姆斯特丹

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-12-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/66 授权公告日:20070620 终止日期:20091022 申请日:20040922

    专利权的终止

  • 2007-06-20

    授权

    授权

  • 2005-06-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-06

    公开

    公开

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