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半导体异质结构光电子器件的逻辑应用方法

摘要

一种半导体异质结光电子器件的逻辑应用方法。该器件主要基于纳米半导体材料的物理特性,通过场效应晶体管的结构设计,实现栅极电压对源漏沟道光电转换性能的逻辑调控,从而具有逻辑光电子的性能。该器件主要结构和功能如下:(1)具有场效应晶体管的类似结构;(2)组成沟道层的材料为半导体异质结材料;(3)半导体异质结中包括至少一种双极性半导体,该种半导体的载流子类型(p型或n型)可以通过栅极调控;(4)通过这种设计,可以通过栅极调控半导体异质结形成pn结与非pn结。通过利用不同异质结的光电转换性能,实现栅极电压对沟道层不同光电转换性能状态之间的调控,使光电子器件具有逻辑功能。

著录项

  • 公开/公告号CN106449918B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN201610987801.0

  • 发明设计人 马海英;张增星;李东;

    申请日2016-11-10

  • 分类号

  • 代理机构上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人叶凤

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2022-08-23 10:24:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-01

    授权

    授权

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/14 申请日:20161110

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20161110

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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