法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-01
授权
授权
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/14 申请日:20161110
实质审查的生效
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20161110
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
2017-02-22
公开
公开
机译: 方法包括:形成包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构以及包括包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构的器件
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 具有波长转换物质的光电子半导体器件,具有该半导体器件的光电子半导体部件以及制造该光电子半导体器件的方法