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一种铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管

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摘要

本发明揭示了一种具有铝镓氮化合物插入层应变平衡的氮化物高迁移率晶体管。按照包括：衬底和位于衬底上的GaN缓冲层；Al

1. 一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统 [P] . 中国专利： CN107516672B . 2020.10.23
2. 一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统 [P] . 中国专利： CN107516672A . 2017-12-26
3. ALUMINUM-GALLIUM-NITRIDE COMPOUND/GALLIUM-NITRIDE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR [P] . 日本专利： JP2018533837A . 2018-11-15

机译：铝氮化镓化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管
4. ALUMINUM-GALLIUM-NITRIDE COMPOUND/GALLIUM-NITRIDE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR [P] . 美国专利： US2018182879A1 . 2018-06-28

机译：铝氮化镓化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管
5. ALUMINUM-GALLIUM-NITRIDE COMPOUND/GALLIUM-NITRIDE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3316314A1 . 2018-05-02

机译：铝氮化镓化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管