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互连介质层的制作方法、互连介质层和互连层的制作方法

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摘要

本申请公开了一种互连介质层的制作方法、互连介质层和互连层的制作方法。其中，互连介质层的制作方法包括以下步骤：形成阻挡层，阻挡层为含硅碳化物；在阻挡层上形成SiC层；对SiC层进行氧化处理，以在SiC层中远离阻挡层的一侧形成SiO

1. 互连介质层的制作方法、互连介质层和互连层的制作方法 [P] . 中国专利： CN105575886B . 2019.01.08
2. 互连介质层、其制作方法及包括其的互连层 [P] . 中国专利： CN104952837B . 2019.01.08
3. Process for making integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level [P] . 美国专利： US6486056B2 . 2002-11-26

机译：至少在局部互连层和第一金属互连层之间具有薄电介质的集成电路结构的制造工艺
4. Integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level, and process for making same [P] . 美国专利： US6239491B1 . 2001-05-29

机译：在至少局部互连层和第一金属互连层之间具有薄电介质的集成电路结构及其制造工艺
5. Process for making integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level [P] . 美国专利： US2001005057A1 . 2001-06-28

机译：至少在局部互连层和第一金属互连层之间具有薄电介质的集成电路结构的制造工艺