一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法。先在蓝宝石衬底上制备GaN单晶外延层；并在高熔点的导热导电转移衬底背面沉积应力补偿层；然后在GaN外延膜及转移衬底表面分别制备高熔点的键合介质层；之后用高温扩散键合技术将GaN外延片与该导热导电衬底键合在一起；最后用衬底剥离技术剥离蓝宝石衬底；则得到可用于GaN生长的高温下稳定且低应力状态的复合衬底。本发明制备的复合衬底，既兼顾以往转移实现的复合衬底具备的同质外延及可直接制备垂直结构器件的优点，又具有低应力状态和高温稳定性，能有效提高后续的GaN外延生长及芯片制备的质量。