一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：通过2步刻蚀工艺在该区域形成∑型凹槽、源区和漏区；步骤3：形成栅介质层；步骤4：在形成有栅介质层的∑型凹槽中淀积具有第一掺杂类型的半浮栅，在所述半浮栅靠近所述源区的一侧刻蚀形成一个缺口；步骤5：在所述源区、半浮栅以及漏区表面待形成金属控制栅的区域形成绝缘介质层；步骤6：在所述绝缘介质层上栅形成金属控制栅和栅极侧墙；步骤7：形成源、漏接触区；步骤8：形成源电极、漏电极和栅电极。本发明可以使半浮栅晶体管的数据擦写更加容易、迅速，而通过∑型结构，具有较大的底切而引入更多地应力，从而有效提高半浮栅器件的性能。