法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-04
授权
授权
2016-10-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20150310
实质审查的生效
2016-10-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20150310
实质审查的生效
2015-09-16
公开
公开
2015-09-16
公开
公开
机译: 掩膜图案的校正方法,光掩膜,制造光掩膜的方法,用于制造光掩膜的电子束写入方法,曝光方法,半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
机译: 掩膜图案的校正方法,光掩膜,制造光掩膜的方法,用于制造光掩膜的电子束写入方法,曝光方法,半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
机译: 电子束描绘图案设计,光掩膜,描绘和制造光掩膜的方法以及使用相同制造半导体器件的方法