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制备布图设计的方法、光掩膜、半导体器件及其制造方法

摘要

提供了制备半导体器件的布图设计的方法、光掩模、利用该布图设计制造的半导体器件及其制造方法。制备半导体器件的布局设计的步骤可以包括将辅助图案设置在位于薄弱的有源图案上的主栅极图案附近。薄弱的有源图案可以是例如有源图案中的最外侧的有源图案,并且可以是预期在制造工艺期间宽度增大的有源图案。

著录项

  • 公开/公告号CN104916634B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201510105265.2

  • 发明设计人 李宪国;金泓秀;李朱嬿;

    申请日2015-03-10

  • 分类号

  • 代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人尹淑梅

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2022-08-23 10:23:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    授权

    授权

  • 2016-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20150310

    实质审查的生效

  • 2016-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20150310

    实质审查的生效

  • 2015-09-16

    公开

    公开

  • 2015-09-16

    公开

    公开

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