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一种无电阻式高精度低功耗基准源

摘要

一种无电阻式高精度低功耗基准源,属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使得基准电路能够正常工作;偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流,同时也作为高阶补偿电路的偏置电压,产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求;基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流,得到的负温度系数电压VCTAT相对于传统VBE大大降低了VBE的负温特性,正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT叠加得到基准电压。另外引入了高阶补偿电路,以得到温度特性更好的基准电压;输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本发明的基准源能够实现纳瓦级功耗,且没有电阻,减小了芯片面积。

著录项

  • 公开/公告号CN107340796B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都信息工程大学;

    申请/专利号CN201710721679.7

  • 申请日2017-08-22

  • 分类号G05F1/567(20060101);

  • 代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 610225 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路1段24号

  • 入库时间 2022-08-23 10:23:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-19

    专利权的转移 IPC(主分类):G05F 1/567 登记生效日:20190702 变更前: 变更后: 申请日:20170822

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-01-01

    授权

    授权

  • 2019-01-01

    授权

    授权

  • 2017-12-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20170822

    实质审查的生效

  • 2017-12-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20170822

    实质审查的生效

  • 2017-12-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20170822

    实质审查的生效

  • 2017-11-10

    公开

    公开

  • 2017-11-10

    公开

    公开

  • 2017-11-10

    公开

    公开

  • 2017-11-10

    公开

    公开

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