中间集成电路裸片及堆叠成像系统

摘要

本发明涉及一种中间集成电路裸片及堆叠成像系统。堆叠集成电路系统的中间集成电路裸片包含中间半导体衬底，所述中间半导体衬底包含第一极性掺杂剂且从第二侧经薄化。包含第一极性掺杂剂的第一阱在所述中间半导体衬底中接近第一侧而安置。包含第二极性掺杂剂的第二阱在所述中间半导体衬底中接近所述第一侧而安置。具有第二极性掺杂剂的深阱在所述中间半导体衬底中安置于所述第一及第二阱下方。第一极性掺杂剂的额外植入物在所述深阱与所述中间半导体衬底的所述第二侧之间植入到所述中间半导体衬底中以使与第一极性掺杂剂的所述额外植入物重叠的耗尽区变窄。所述耗尽区位于所述深阱与所述中间半导体衬底的所述第二侧之间。