一种提高晶片处理良率的蚀刻装置及其蚀刻方法

摘要

本发明公开了一种提高晶片处理良率的蚀刻装置及其蚀刻方法，蚀刻装置包含蚀刻反应腔、设置在蚀刻反应腔上部的盖衬部件、设置在盖衬部件上方的绝缘窗、设置在该蚀刻反应腔底部的排气系统、设置在排气系统上方的基座用于固定待刻蚀晶片；蚀刻反应腔的内壁与盖衬部件向下延展部分之间设有充气区域，在充气区域设有充气孔，充气孔用于将包含处理气体的填充气体充入充气区域内。通过上述设计，避免了蚀刻工艺过程中的副产物进入间隙区域中，从而避免了其他待刻蚀晶片被污染，保证并提高了晶片的蚀刻良率。